Smartfóny budú mať v budúcnosti stovky GB pamäte

V súčasnosti si vyberáme smartfón podľa rôznych kritérií. Niekto chce veľký displej, niekto chce kompaktnejšie zariadenie, iný človek hľadá výkonný procesor. Jedným z týchto kritérií je určite i operačná pamäť RAM, ktorá sa dnes pohybuje od 1 po 2 GB, výnimočné vlajkové lode ponúkajú už i 3 GB, dokonca sa hovorí i o 4 GB pamätiach. Ďalším kritériom je vnútorná flash pamäť, prípadne prítomnosť slotu na pamäťové karty.

Vedci z Rice University však vytvorili niečo úplne iné, spadajúce do oveľa vyššej ligy. Ich nové tzv. resistive random access memory (skratka RRAM), ktoré by sa mali dať vyrobiť i pri bežnej izbovej teplote, by mohli byť súčasťou nových mobilných zariadení budúcnosti. Ich veľkou výhodou je, že k uchovaniu informácií nepotrebujú nepretržitý prísun elektrickej energie, vďaka čomu je možné ich použiť ako bežné úložisko na dáta. Na rozdiel od dnešných pamätí v mobilných zariadeniach budú ale určite viac ako 100-krát rýchlejšie a poskytovať budú omnoho väčšie kapacity. Pre porovnanie, 1TB pamäť by mohla byť veľká asi ako poštová známka.

Ako sa to ale vedcom podarilo? Tí vzali porézny oxid kremičitého, ktorého medzery vyplnili drahými kovmi ako sú zlato alebo platina. Samozrejme celý postup je omnoho zložitejší, chceme však povedať, že vďaka tomuto novému výrobnému procesu a technológií sa na tenký pamäťový modul dá umiestniť až niekoľko stoviek vrstiev. Dnes sa podobné postupy realizujú, Samsung použil až 24 vrstiev.

Keď vravíme o budúcnosti, nemyslíme niekoľko rokov, naopak. Táto technológia sa do nových produktov dostane už tento rok, najprv síce najprv do áut a spotrebičov, no postupne sa vysokokapacitných pamäťových RAM modulov dočkáme i v mobilných zariadeniach.